IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業應用（例如，逆變器系統和不間斷電源（UPS））、消費類應用（例如，空調和電磁爐），以及車載應用（例如，電動汽車（EV）電機控制器）。
作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用于工業、4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統產業領域，以及軌道交通、新能源、智能電網、新能源汽車等戰略性新興產業領域。
IGBT電路是負責變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的觸發電路和電流反饋元件。觸發電路包含隔離變壓器、整流二極管、光耦隔離芯片，根據使用IGBT模塊型號，有些需使用配套的觸發驅動芯片以及保護電路。