供IGBT使用的驅動電路形式多種多樣 ,各自的功能也不盡相同。從綜合的觀點看 ,還沒有一種十全十美的電路。從電路隔離方式看，IGBT驅動器可分成兩大類,一類采用光電耦合器,另一類采用脈沖變壓器,兩者均可實現信號的傳輸及電路的隔離。
IGBT的開關時間應綜合考慮。快速開通和關斷有利于提高工作頻率，減小開關損耗。但在大電感負載下，IGBT的開頻率不宜過大，因為高速開斷和關斷會產生很高的尖峰電壓，及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。
IGBT開通后，驅動電路應提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。
IGBT 的驅動條件與它的靜態和動態特性密切相關。柵極的正偏壓+VGE、負偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT 的通態電壓、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dVCE/dt等參數都有不同程度的影響。
IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復合器件，既有MOSFET易驅動的優點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優點，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數十千赫茲的頻率范圍內。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應連接與之匹配的驅動電路。