IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態電壓。
igbt驅動器是驅動igbt并對其整體性能進行調控的裝置，它不僅影響了igbt 的動態性能，同時也影響系統的成本和可靠性。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 igbt 和驅動器損壞。
為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應連接與之匹配的驅動電路。IGBT驅動的兩個功能， 實現控制電路與被驅動IGBT柵極的電隔離;提供合適的柵極驅動脈沖。實現電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。
采用脈沖變壓器隔離驅動IGBT，該方式是利用變壓器的工作原理，由次級感應電壓直接驅動IGBT，如上圖1所示。由于變壓器具有阻抗變換與隔離作用，所以這種驅動方式不僅簡化了驅動電路，還解決了驅動電路的供電與 IGBT不共地的連接問題。