作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用于工業、4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統產業領域，以及軌道交通、新能源、智能電網、新能源汽車等戰略性新興產業領域。
IGBT一般分為IGBT單管和IGBT模塊。簡而言之IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統成本。它們廣泛應用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應加熱設備、大型家電、焊接以及開關電源（SMPS）等領域。
在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態的控制。
1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態。
2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態。
3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：
若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態。
若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態（正常工作）。此時，空穴從P+區注入到N基區進行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態壓降降低。
IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調的交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。