雪崩能量測試臺功能指標:
配置
測試范圍
測試參數
條件
范圍
電壓1000V
IGBT
絕緣柵極雙極型晶體管
EAS/單脈沖雪崩能量
VCE
20V~4500V
20V~100V±3%±1V
100V~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V
電流200A
MOSFETS
MOS場效應管
EAR/重復脈沖雪崩能量
IC
1mA~200A
1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA
DIODES
二極管
IAS/脈沖雪崩電流
PAS/單脈沖雪崩功率
Ea
1J~2000J
1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J
IC(檢測）
50mV/A(取決于傳感器）
感性負載
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
重復間隙時間
1~60s可調（進步is）重復次數：1~50次