粉末冶金法：通過將銦粉末在高溫下壓制和燒結成型，可有效控制雜質含量，能制造出形狀復雜的靶材，制得的靶材具有較高的致密度和均勻性。
熔煉法：將銦材料加熱至熔點以上，使其成為液態，然后通過鑄模或其他成型工藝制造靶材，該方法簡單快捷，但控制純度和均勻性相對較難。
熱壓法：把銦粉末在高溫和高壓下壓制成型，能夠提高靶材的致密度和機械強度，同時有助于減少氣孔和其他缺陷。
冷等靜壓法：利用液壓介質在室溫下對銦粉末施加均勻壓力使其成型，可制造出高密度和均勻性的靶材，但需要后續的燒結處理來提高其機械性能。
化合物半導體器件
場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導體芯片，廣泛應用于 5G 通信基站、雷達、光纖通信等高頻電子設備。
作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
. 光通信器件
應用：在光纖連接器、光調制器中作為鍍膜材料，提升光學元件的信號傳輸效率和穩定性。
場景：數據中心高速光模塊、5G 前傳網絡的光器件制造。
