粉末冶金法:通過將銦粉末在高溫下壓制和燒結成型,可有效控制雜質含量,能制造出形狀復雜的靶材,制得的靶材具有較高的致密度和均勻性。
熔煉法:將銦材料加熱至熔點以上,使其成為液態,然后通過鑄?;蚱渌尚凸に囍圃彀胁?,該方法簡單快捷,但控制純度和均勻性相對較難。
先進封裝技術
應用:在芯片倒裝焊(Flip Chip)中作為焊料或熱界面材料,實現芯片與基板的電氣連接和熱傳導。
特點:低熔點(156.6℃)和高可靠性,適用于精密電子器件的低溫封裝。
濺射時間與沉積厚度
厚度監控:使用石英晶體微天平(QCM)實時監測薄膜沉積速率,結合靶材消耗速率(約 0.1~0.5 μm/min,與功率相關),控制濺射時間。
靶材利用率:避免過度濺射導致靶材 “打穿”(剩余厚度<2 mm 時需及時更換),通常平面靶材利用率約 30%~40%,旋轉靶可提升至 60% 以上。
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