先進封裝技術
應用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實現芯片與基板的電氣連接和熱傳導。
特點：低熔點（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。
功率與溫度管理
濺射功率：
銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導致靶材熔融或飛濺（銦熔點僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。
直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當提高至 5~10 W/cm2。
靶材冷卻：
采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導致銦原子擴散加劇，影響薄膜結晶質量）。
定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導致靶材變形或脫靶。
真空系統維護
腔體清潔：每次濺射后及時清理腔體內壁及基片臺的銦沉積層（銦延展性強，易粘附在腔體表面，長期積累可能導致短路或影響真空度）。
可用棉簽蘸取乙醇擦拭，或用軟質刮刀輕輕刮除（避免損傷腔體涂層）。
真空泵保養：定期更換真空泵油（因銦蒸氣可能污染泵油，建議每 200 小時檢查一次），防止油液粘度升高影響抽氣效率。
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