平板顯示（LCD/OLED/Micro-LED）
核心用途：制備透明導(dǎo)電薄膜（如氧化銦錫，ITO），作為顯示面板的電極層和觸控層。
LCD：用于玻璃基板的 ITO 薄膜，實(shí)現(xiàn)像素電極的導(dǎo)電功能。
OLED/Micro-LED：作為柔性基板（如 PI 膜）的透明電極，滿足柔性顯示對材料延展性的要求。
市場占比：全球超過 70% 的銦靶材用于顯示面板生產(chǎn)，是 LCD/OLED 產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵材料。
. 光通信器件
應(yīng)用：在光纖連接器、光調(diào)制器中作為鍍膜材料，提升光學(xué)元件的信號傳輸效率和穩(wěn)定性。
場景：數(shù)據(jù)中心高速光模塊、5G 前傳網(wǎng)絡(luò)的光器件制造。
銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個(gè)國家在半導(dǎo)體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復(fù)雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國關(guān)注的重點(diǎn)。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時(shí)推動(dòng)高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。
功率與溫度管理
濺射功率：
銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。
直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。
靶材冷卻：
采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會(huì)導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。
定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。
