半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。
超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過程中的穩定性和使用壽命。
晶粒定向控制：晶粒定向控制技術能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質量和性能，滿足高端應用領域的需求。
物理化學性能
物理性質：
密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。
導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。
化學性質：
常溫下在空氣中穩定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩定性較高。
合金與特殊材料（占比約 10%）：
銦錫合金：熔點低至 120℃，用于保險絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應堆的中子吸收材料。
銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。
科研與新興領域：
量子點顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術中，精銦作為高純原料用于薄膜沉積或材料合成。
