在實(shí)際生產(chǎn)中，ITO靶材通常被加工成圓形或矩形的塊狀，與濺射設(shè)備配合使用。濺射過(guò)程中，靶材的質(zhì)量直接影響薄膜的均勻性、附著力和性能。因此，高質(zhì)量的ITO靶材不僅是技術(shù)要求，更是生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性的保障。
制造ITO靶材是一項(xiàng)技術(shù)密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個(gè)環(huán)節(jié)。高質(zhì)量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩(wěn)定性，而這些要求背后隱藏著復(fù)雜的工藝和諸多挑戰(zhàn)。
ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽(yáng)能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導(dǎo)率高，確保了設(shè)備的運(yùn)行。
銦回收的難點(diǎn)在于其“稀”與“散”。一部廢舊手機(jī)含銦量不足0.02克，且深嵌于多層結(jié)構(gòu)的液晶面板中，與玻璃、塑料、其他金屬緊密復(fù)合。傳統(tǒng)的物理拆解難以分離，濕法冶金（酸/堿浸出）則面臨成分復(fù)雜、雜質(zhì)干擾、易產(chǎn)生二次污染等嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
