目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結法和冷等靜壓法。
熱壓燒結法
工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結合，形成致密的靶材結構。
優(yōu)點：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。
缺點：設備復雜，能耗高，生產成本較高。
適用場景：高端電子產品，如智能手機、平板電腦的顯示屏制造。
銦回收面臨的主要挑戰(zhàn)包括銦在電子設備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統的回收方法難以有效提取，需要采用濕法冶金或火法冶金等先進技術。同時，回收過程中需確保電子廢物流的分類和處理，以減少污染物對回收過程的影響。
氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結構使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設備和顯示技術。
在堆積如山的廢棄手機、平板電腦和液晶顯示器深處，隱藏著一種被稱為“電子時代血脈”的稀有金屬——銦。它雖在自然界中蹤跡難尋，卻在ITO靶材（氧化銦錫）中扮演著不可替代的角色，驅動著全球億萬塊液晶屏幕的清晰成像。隨著電子產品更新換代加速，一條從“電子垃圾”到“戰(zhàn)略資源”的銦回收產業(yè)鏈正悄然崛起，成為保障產業(yè)與生態(tài)可持續(xù)的關鍵密碼。
