區熔提純（核心步驟）
熔區建立：采用高頻感應加熱或紅外聚焦加熱，在鍺料中部形成寬度 1~3cm 的窄熔區，溫度控制在鍺熔點（937℃）以上 50~100℃，確保局部熔化、整體固態。
熔區移動與多道次提純
以 15~120mm/h 的速率移動熔區，雜質隨熔區向尾料端偏析，純鍺在熔區前方結晶。
單次區熔提純有限，需重復 8~20 道次，根據目標純度調整次數，每道次后熔區反向移動可提升均勻性。
參數控制：控制加熱功率、熔區移動速率與溫度梯度，避免局部過熱導致鍺揮發或石英舟變形，同時減少熱應力與晶體缺陷。
移動速度過慢的影響
雜質偏析充分，但生產效率低：慢速移動時，熔區與固相鍺的接觸時間長，雜質在固 - 液兩相的分配能充分達到平衡，偏析效果好，能有效將雜質 “推” 向尾料端，利于提升鍺錠主體純度。但過慢的速度會大幅延長單爐生產周期，增加能耗和設備占用成本，降低產能。
易產生成分不均與晶體缺陷：長時間高溫會導致鍺原子擴散過度，可能出現局部成分偏聚；同時，緩慢冷卻易形成粗大晶粒，晶粒間的晶界增多，還可能因熱應力累積產生微裂紋。
鍺揮發損失增加：熔區處于高溫的時間越長，鍺的揮發量越大，不僅降低成品收率，揮發的鍺蒸汽還可能污染爐體或重新凝結在鍺錠表面，引入二次雜質。
移動速度過快的影響
雜質偏析不徹底，純度不達標：快速移動時，熔區向前推進速度超過雜質在液相中的擴散速度，雜質無法及時隨熔區向尾料遷移，會被 “截留” 在結晶的固相鍺中，導致鍺錠主體純度下降，無法達到 6N 及以上的目標純度要求。
晶體生長不穩定，易形成柱狀晶或枝晶：過快的移動速度會使固 - 液界面變得陡峭，晶體生長方向紊亂，容易形成柱狀晶或枝晶結構，破壞晶體的完整性，后續加工時鍺錠易脆斷。
熔區形態不穩定：速度過快可能導致熔區拉長、變形，甚至出現 “斷熔” 現象，造成局部未熔或過熔，影響整根鍺錠的提純均勻性。
適宜的移動速度范圍
區熔鍺錠的熔區移動速度通常控制在 15~120mm/h，具體需根據鍺料初始純度、目標純度、熔區寬度調整：
初始純度低（如 5N 粗鍺）或目標純度高（如 7N、8N）時，選擇偏慢的速度（15~40mm/h），保證雜質充分偏析；
初始純度較高或追求生產效率時，可適當提高速度（60~120mm/h）。
