鍺單晶與晶圓制造：6N（99.9999%）以上區熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，經切片、拋光制成鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測器、霍爾元件等。鍺
數據匹配性：半導體領域對鍺錠的純度要求（7N~9N），而這一純度等級的鍺錠幾乎全部通過區熔工藝生產（真空熔煉、電解精煉鍺錠純度僅能達到 4N~6N，無法滿足半導體高端需求），因此 “半導體與電子領域 18% 的全球占比” 可直接等同于區熔鍺錠在該領域的應用占比。
行業數據佐證：結合 USGS（美國地質調查局）及行業報告數據，全球鍺消費中紅外（36%）、光纖（34%）為前兩大領域，半導體領域以 18% 位居第三，且該領域的鍺原料幾乎均為區熔鍺錠 —— 高純度區熔鍺錠是制備鍺單晶、半導體靶材、高純鍺探測器的原料，無替代工藝可滿足其電子遷移率、雜質控制等核心要求。
工藝核心原理：利用雜質在鍺的固 - 液兩相中分配系數不同（多數雜質在液相中溶解度更高），通過移動窄熔區將雜質向尾料端偏析，純鍺在熔區前方定向結晶，經多道次提純達到高純度。
