鍺單晶與晶圓制造：6N（99.9999%）以上區(qū)熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，經(jīng)切片、拋光制成鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測(cè)器、霍爾元件等。鍺
半導(dǎo)體摻雜與靶材：高純度鍺錠加工為鍺粉或鍺合金靶材，用于半導(dǎo)體芯片的摻雜工藝（如鍺硅外延層），提升芯片的導(dǎo)電性與穩(wěn)定性；同時(shí)用于制備薄膜太陽(yáng)能電池的吸收層，增強(qiáng)光 - 電轉(zhuǎn)換效率。
鍺合金制備：4N~5N 級(jí)真空熔煉鍺錠用于生產(chǎn)鍺銅、鍺鋁、鍺鎂等合金，核心作用是：?
提升合金的強(qiáng)度、硬度與耐腐蝕性（如鍺銅合金用于制造航空發(fā)動(dòng)機(jī)葉片、精密機(jī)械零件）；?
改善合金的切削加工性能（如鍺鋁合金用于汽車輕量化零部件）。
行業(yè)數(shù)據(jù)佐證：結(jié)合 USGS（美國(guó)地質(zhì)調(diào)查局）及行業(yè)報(bào)告數(shù)據(jù)，全球鍺消費(fèi)中紅外（36%）、光纖（34%）為前兩大領(lǐng)域，半導(dǎo)體領(lǐng)域以 18% 位居第三，且該領(lǐng)域的鍺原料幾乎均為區(qū)熔鍺錠 —— 高純度區(qū)熔鍺錠是制備鍺單晶、半導(dǎo)體靶材、高純鍺探測(cè)器的原料，無(wú)替代工藝可滿足其電子遷移率、雜質(zhì)控制等核心要求。
