資源分布與產(chǎn)量：鍺在地殼中含量極其稀少，且多伴生于鉛鋅礦、煤礦等礦石中。中國是世界上的精制鍺生產(chǎn)國，在全世界每年生產(chǎn)的 150 公噸金屬中約占 70%，其他主要生產(chǎn)國包括俄羅斯和加拿大。
后處理
冷卻與脫模：區(qū)熔結(jié)束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內(nèi)應力開裂，冷卻后取出鍺錠。
切頭切尾：切除含高濃度雜質(zhì)的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。
檢測分級：通過電阻率測試、ICP-MS 分析雜質(zhì)含量，按純度分級（如 6N、7N、8N），合格產(chǎn)品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。
退火處理（可選）：對高純鍺錠進行 400~500℃真空退火，消除內(nèi)應力，提升晶體完整性，滿足半導體單晶制備需求。
移動速度過快的影響
雜質(zhì)偏析不徹底，純度不達標：快速移動時，熔區(qū)向前推進速度超過雜質(zhì)在液相中的擴散速度，雜質(zhì)無法及時隨熔區(qū)向尾料遷移，會被 “截留” 在結(jié)晶的固相鍺中，導致鍺錠主體純度下降，無法達到 6N 及以上的目標純度要求。
晶體生長不穩(wěn)定，易形成柱狀晶或枝晶：過快的移動速度會使固 - 液界面變得陡峭，晶體生長方向紊亂，容易形成柱狀晶或枝晶結(jié)構(gòu)，破壞晶體的完整性，后續(xù)加工時鍺錠易脆斷。
熔區(qū)形態(tài)不穩(wěn)定：速度過快可能導致熔區(qū)拉長、變形，甚至出現(xiàn) “斷熔” 現(xiàn)象，造成局部未熔或過熔，影響整根鍺錠的提純均勻性。
適宜的移動速度范圍
區(qū)熔鍺錠的熔區(qū)移動速度通常控制在 15~120mm/h，具體需根據(jù)鍺料初始純度、目標純度、熔區(qū)寬度調(diào)整：
初始純度低（如 5N 粗鍺）或目標純度高（如 7N、8N）時，選擇偏慢的速度（15~40mm/h），保證雜質(zhì)充分偏析；
初始純度較高或追求生產(chǎn)效率時，可適當提高速度（60~120mm/h）。
