后處理
冷卻與脫模：區熔結束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內應力開裂，冷卻后取出鍺錠。
切頭切尾：切除含高濃度雜質的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。
檢測分級：通過電阻率測試、ICP-MS 分析雜質含量，按純度分級（如 6N、7N、8N），合格產品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。
退火處理（可選）：對高純鍺錠進行 400~500℃真空退火，消除內應力，提升晶體完整性，滿足半導體單晶制備需求。
移動速度過慢的影響
雜質偏析充分，但生產效率低：慢速移動時，熔區與固相鍺的接觸時間長，雜質在固 - 液兩相的分配能充分達到平衡，偏析效果好，能有效將雜質 “推” 向尾料端，利于提升鍺錠主體純度。但過慢的速度會大幅延長單爐生產周期，增加能耗和設備占用成本，降低產能。
易產生成分不均與晶體缺陷：長時間高溫會導致鍺原子擴散過度，可能出現局部成分偏聚；同時，緩慢冷卻易形成粗大晶粒，晶粒間的晶界增多，還可能因熱應力累積產生微裂紋。
鍺揮發損失增加：熔區處于高溫的時間越長，鍺的揮發量越大，不僅降低成品收率，揮發的鍺蒸汽還可能污染爐體或重新凝結在鍺錠表面，引入二次雜質。
鍺錠的關鍵質量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。?
晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。?
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據應用定制。
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