應(yīng)用領(lǐng)域：主要用于生產(chǎn)鍺顆粒、粉末、合金等。同時，它也是制造鍺單晶的原料，還可用于摻鍺光纖、氯化鍺、紅外和特種光學鏡片、二級晶體管以及各類含鍺化合物靶材等的生產(chǎn)。
市場價格：鍺錠的市場價格長期維持在較高水平，不同純度等級的鍺錠價格差異顯著，高純鍺錠的回收價格處于每公斤上萬元區(qū)間。
后處理
冷卻與脫模：區(qū)熔結(jié)束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內(nèi)應(yīng)力開裂，冷卻后取出鍺錠。
切頭切尾：切除含高濃度雜質(zhì)的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。
檢測分級：通過電阻率測試、ICP-MS 分析雜質(zhì)含量，按純度分級（如 6N、7N、8N），合格產(chǎn)品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。
退火處理（可選）：對高純鍺錠進行 400~500℃真空退火，消除內(nèi)應(yīng)力，提升晶體完整性，滿足半導體單晶制備需求。
鍺錠的關(guān)鍵質(zhì)量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應(yīng)用需 9N 級超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。?
晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。?
化學雜質(zhì)：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據(jù)應(yīng)用定制。
