市場(chǎng)價(jià)格：鍺錠的市場(chǎng)價(jià)格長(zhǎng)期維持在較高水平，不同純度等級(jí)的鍺錠價(jià)格差異顯著，高純鍺錠的回收價(jià)格處于每公斤上萬元區(qū)間。
原料預(yù)處理
原料選擇：選用純度約 5N（99.999%）的粗鍺錠或還原鍺粉，通常來自 GeCl?水解、GeO?氫還原等工藝產(chǎn)出的初級(jí)金屬鍺。
表面凈化：用混合酸（如 HF+HNO?）腐蝕去除表面氧化層與油污，再經(jīng)去離子水清洗、真空烘干，防止雜質(zhì)帶入后續(xù)工序。
破碎與成型：將凈化后的鍺料破碎成均勻顆粒，壓制成與石英舟適配的條狀或塊狀，減少區(qū)熔時(shí)的縮孔與偏析。
區(qū)熔提純（核心步驟）
熔區(qū)建立：采用高頻感應(yīng)加熱或紅外聚焦加熱，在鍺料中部形成寬度 1~3cm 的窄熔區(qū)，溫度控制在鍺熔點(diǎn)（937℃）以上 50~100℃，確保局部熔化、整體固態(tài)。
熔區(qū)移動(dòng)與多道次提純
以 15~120mm/h 的速率移動(dòng)熔區(qū)，雜質(zhì)隨熔區(qū)向尾料端偏析，純鍺在熔區(qū)前方結(jié)晶。
單次區(qū)熔提純有限，需重復(fù) 8~20 道次，根據(jù)目標(biāo)純度調(diào)整次數(shù)，每道次后熔區(qū)反向移動(dòng)可提升均勻性。
參數(shù)控制：控制加熱功率、熔區(qū)移動(dòng)速率與溫度梯度，避免局部過熱導(dǎo)致鍺揮發(fā)或石英舟變形，同時(shí)減少熱應(yīng)力與晶體缺陷。
鍺錠的關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)?
純度等級(jí)：核心指標(biāo)，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級(jí)超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。?
晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準(zhǔn)單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學(xué)性能：電阻率（25℃時(shí)）需符合標(biāo)準(zhǔn)，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。?
化學(xué)雜質(zhì)：重點(diǎn)控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導(dǎo)電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長(zhǎng)度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據(jù)應(yīng)用定制。
