半導(dǎo)體摻雜與靶材：高純度鍺錠加工為鍺粉或鍺合金靶材，用于半導(dǎo)體芯片的摻雜工藝（如鍺硅外延層），提升芯片的導(dǎo)電性與穩(wěn)定性；同時(shí)用于制備薄膜太陽(yáng)能電池的吸收層，增強(qiáng)光 - 電轉(zhuǎn)換效率。
紅外光學(xué)鏡片與窗口材料：區(qū)熔鍺錠經(jīng)定向結(jié)晶、切片、拋光后，制成紅外光學(xué)部件 —— 其在 2~14μm 紅外波段的透過(guò)率≥40%，且機(jī)械強(qiáng)度高、耐環(huán)境腐蝕，是紅外熱像儀、導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)、衛(wèi)星遙感設(shè)備、夜視儀的核心材料。例如：?
軍用領(lǐng)域：戰(zhàn)斗機(jī)紅外搜索跟蹤系統(tǒng)、反坦克導(dǎo)彈制導(dǎo)窗口；?
民用領(lǐng)域：工業(yè)測(cè)溫?zé)嵯駜x、安防監(jiān)控夜視設(shè)備、醫(yī)療紅外診斷儀器。
特種光纖制造：用于制備耐高溫光纖、抗輻射光纖（如核電廠通信光纖），鍺摻雜可增強(qiáng)光纖的機(jī)械強(qiáng)度與環(huán)境適應(yīng)性，適配極端工況下的通信需求。
工藝核心原理：利用雜質(zhì)在鍺的固 - 液兩相中分配系數(shù)不同（多數(shù)雜質(zhì)在液相中溶解度更高），通過(guò)移動(dòng)窄熔區(qū)將雜質(zhì)向尾料端偏析，純鍺在熔區(qū)前方定向結(jié)晶，經(jīng)多道次提純達(dá)到高純度。
