物理性質(zhì)：具有銀灰色金屬光澤，條狀，梯形截面，性脆，易斷裂，硬度 5.0 左右，微導(dǎo)電，屬于典型的半導(dǎo)體。其密度為 5.35g/mL，熔點(diǎn)為 937℃，沸點(diǎn)為 2830℃，不溶于鹽酸、硝酸和常堿，但溶于 HF、王水和熱的 NaOH 溶液中。
區(qū)熔提純（核心步驟）
熔區(qū)建立：采用高頻感應(yīng)加熱或紅外聚焦加熱，在鍺料中部形成寬度 1~3cm 的窄熔區(qū)，溫度控制在鍺熔點(diǎn)（937℃）以上 50~100℃，確保局部熔化、整體固態(tài)。
熔區(qū)移動(dòng)與多道次提純
以 15~120mm/h 的速率移動(dòng)熔區(qū)，雜質(zhì)隨熔區(qū)向尾料端偏析，純鍺在熔區(qū)前方結(jié)晶。
單次區(qū)熔提純有限，需重復(fù) 8~20 道次，根據(jù)目標(biāo)純度調(diào)整次數(shù)，每道次后熔區(qū)反向移動(dòng)可提升均勻性。
參數(shù)控制：控制加熱功率、熔區(qū)移動(dòng)速率與溫度梯度，避免局部過(guò)熱導(dǎo)致鍺揮發(fā)或石英舟變形，同時(shí)減少熱應(yīng)力與晶體缺陷。
移動(dòng)速度過(guò)慢的影響
雜質(zhì)偏析充分，但生產(chǎn)效率低：慢速移動(dòng)時(shí)，熔區(qū)與固相鍺的接觸時(shí)間長(zhǎng)，雜質(zhì)在固 - 液兩相的分配能充分達(dá)到平衡，偏析效果好，能有效將雜質(zhì) “推” 向尾料端，利于提升鍺錠主體純度。但過(guò)慢的速度會(huì)大幅延長(zhǎng)單爐生產(chǎn)周期，增加能耗和設(shè)備占用成本，降低產(chǎn)能。
易產(chǎn)生成分不均與晶體缺陷：長(zhǎng)時(shí)間高溫會(huì)導(dǎo)致鍺原子擴(kuò)散過(guò)度，可能出現(xiàn)局部成分偏聚；同時(shí)，緩慢冷卻易形成粗大晶粒，晶粒間的晶界增多，還可能因熱應(yīng)力累積產(chǎn)生微裂紋。
鍺揮發(fā)損失增加：熔區(qū)處于高溫的時(shí)間越長(zhǎng)，鍺的揮發(fā)量越大，不僅降低成品收率，揮發(fā)的鍺蒸汽還可能污染爐體或重新凝結(jié)在鍺錠表面，引入二次雜質(zhì)。
首飾廠：拋光打磨粉，地毯，洗手池等廢料；
印刷廠：印刷廢菲林、X光片、定影水；
化工石油廠：鈀，鉑，銠，釕催化劑等。
小金屬：粗銦，精銦，銦靶材，粗稼，金屬鎵99.99以及廢料。高價(jià)回收鎳片，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，銦.銦絲.氧化銦.
