物理性質：具有銀灰色金屬光澤，條狀，梯形截面，性脆，易斷裂，硬度 5.0 左右，微導電，屬于典型的半導體。其密度為 5.35g/mL，熔點為 937℃，沸點為 2830℃，不溶于鹽酸、硝酸和常堿，但溶于 HF、王水和熱的 NaOH 溶液中。
后處理
冷卻與脫模：區熔結束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內應力開裂，冷卻后取出鍺錠。
切頭切尾：切除含高濃度雜質的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。
檢測分級：通過電阻率測試、ICP-MS 分析雜質含量，按純度分級（如 6N、7N、8N），合格產品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。
退火處理（可選）：對高純鍺錠進行 400~500℃真空退火，消除內應力，提升晶體完整性，滿足半導體單晶制備需求。
鍺錠的核心分類與差異?
除了之前重點介紹的區熔鍺錠，工業中常見的鍺錠還包括以下類型，核心差異集中在提純工藝、純度與用途：?
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類型?
提純方法?
純度范圍?
關鍵特點?
主要應用?
區熔鍺錠（FZ-Ge）?
水平 / 垂直區熔法?
6N~9N（99.9999%~99.9999999%）?
雜質偏析徹底，晶體完整性高，半導體特性優異?
鍺單晶、紅外光學材料、半導體器件?
真空熔煉鍺錠?
真空高溫熔煉?
4N~5N（99.99%~99.999%）?
生產效率高，成本較低，純度適中?
鍺合金、低檔光學部件、含鍺化合物原料?
電解精煉鍺錠?
電化學還原 + 精煉?
5N~6N?
雜質去除效率穩定，適合批量生產?
光纖用鍺摻雜劑、靶材中間體?
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鍺錠的關鍵質量指標?
純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。?
晶體結構：區熔鍺錠需為定向結晶的多晶或準單晶，晶粒尺寸均勻（通常≥5mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。?
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。?
外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據應用定制。
