純度等級:核心指標,以 “N” 表示(1N=99%),區熔鍺錠主流為 6N~8N,高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠,雜質總量≤0.1ppm。
化學雜質:重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質,其中 O 含量需≤5ppm(避免影響晶體導電性),重金屬雜質≤0.1ppm。
首飾廠:拋光打磨粉,地毯,洗手池等廢料;
印刷廠:印刷廢菲林、X光片、定影水;
化工石油廠:鈀,鉑,銠,釕催化劑等。
小金屬:粗銦,精銦,ito銦靶材,粗鎵,金屬鎵99.99以及廢料。高價回收鎳片,銑刀, 數控刀片, 輕質數控刀,廢合金針,針尖,銦.銦絲.氧化銦.
全球資源分布集中:鍺在地殼中含量僅 0.0007%,難以獨立成礦,主要伴生于鉛鋅礦、煤礦等,全球已探明儲量僅 8600 噸,中國(41%)、美國(45%)為主要儲量國。資源的稀散屬性導致原料供給天然受限,直接推高上游開采與初級提純成本。?

