純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠，雜質總量≤0.1ppm。
化學雜質：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導電性），重金屬雜質≤0.1ppm。
光纖通信領域：鍺錠加工為鍺粉或 GeCl?，作為光纖芯層的摻雜劑，可提升光纖的折射率和傳輸性能，是通信光纖的關鍵原料之一。
全球資源分布集中：鍺在地殼中含量僅 0.0007%，難以獨立成礦，主要伴生于鉛鋅礦、煤礦等，全球已探明儲量僅 8600 噸，中國（41%）、美國（45%）為主要儲量國。資源的稀散屬性導致原料供給天然受限，直接推高上游開采與初級提純成本。?
