純度等級:核心指標,以 “N” 表示(1N=99%),區熔鍺錠主流為 6N~8N,高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠,雜質總量≤0.1ppm。
化學雜質:重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質,其中 O 含量需≤5ppm(避免影響晶體導電性),重金屬雜質≤0.1ppm。
紅外光學領域:高純度鍺錠經切片、拋光后,制成紅外光學鏡片、窗口材料,具有優異的紅外透過率(2~14μm 波段透過率≥40%),用于紅外熱像儀、導彈制導系統、衛星遙感設備。
高價回收鎳片,鎳泥,鎳催化劑,含鎳物料,銑刀, ( 鉭 ) 鉭絲 鉭粉 鉭電容 鉭鈮 鉭鎢 ,銦.銦絲.氧化銦.金.金屬鍺.鍺錠99.999等.
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