電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩定。
紅外光學領域：高純度鍺錠經切片、拋光后，制成紅外光學鏡片、窗口材料，具有優異的紅外透過率（2~14μm 波段透過率≥40%），用于紅外熱像儀、導彈制導系統、衛星遙感設備。
其他應用：低純度鍺錠用于生產鍺合金（如鍺銅、鍺鋁合金），提升材料的強度和耐腐蝕性；高純鍺錠還用于核輻射探測器、半導體摻雜靶材等特種場景。
原料供給依賴主礦副產品：區熔鍺錠原料（粗鍺、還原鍺粉）主要來自鉛鋅冶煉副產品及鍺礦回收，主礦開采規模、冶煉回收率直接影響原料供應量，進而傳導至區熔鍺錠價格。?
